logo
Teklif isteği |
Ana sayfa ÜrünlerYüksek Güçlü IGBT

N-Kanal Geliştirme Modu Frekans Değiştiricisi için Yüksek Güçlü IGBT

Tüm ürünler

İnvertör IGBT'si

(37)

Yüksek Güçlü IGBT

(48)

Yüksek Güçlü MOSFET

(48)

Süper Junction MOSFET

(48)

Alçak Gerilim MOSFET

(81)

Yüksek Gerilim MOSFET

(54)

Schottky Bariyer Diyotları

(80)

Hızlı Geri Dönüşüm Diyotları

(49)

Düşük VF Schottky

(65)

Yüksek Güçlü Yarı İletken

(28)

Silisyum Karbür MOSFET

(21)

Silikon Karbid SBD

(21)
En iyi ürünleri
Yüksek Verimlilik 15A 650V Motor Kontrolü için Yüksek Güçlü IGBT TO-263C

Yüksek Verimlilik 15A 650V Motor Kontrolü için Yüksek Güçlü IGBT TO-263C

Kesintisiz güç kaynakları için çoklu sahneli yalıtılmış kapı bipolar transistör invertörü

Kesintisiz güç kaynakları için çoklu sahneli yalıtılmış kapı bipolar transistör invertörü

Yüksek Voltajlı Bloklama Kapasitesi TO-247 IGBT 40A 1200V Güç dönüştürme için

Yüksek Voltajlı Bloklama Kapasitesi TO-247 IGBT 40A 1200V Güç dönüştürme için

Sertifika
Çin Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Sertifikalar
Çin Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Sertifikalar
Müşteri yorumları
Harika ürün, tam olarak tarif edildiği gibi, hızlı posta ve harika hizmet.

—— minifux1

çok hızlı gönderme, iyi paketlenmiş ve bu kablolar kesinlikle yüksek kalitede! başka bir yerde satın almadım ve kablolarımı bu satıcıdan almaya devam edeceğim! AAA+++

—— Mahdi

Her zamanki gibi mükemmel hizmet.

—— Sophia.

Ben sohbet şimdi

N-Kanal Geliştirme Modu Frekans Değiştiricisi için Yüksek Güçlü IGBT

N-Kanal Geliştirme Modu Frekans Değiştiricisi için Yüksek Güçlü IGBT
N-Channel Enhancement Mode High Power IGBT For Frequency Converter
N-Kanal Geliştirme Modu Frekans Değiştiricisi için Yüksek Güçlü IGBT N-Kanal Geliştirme Modu Frekans Değiştiricisi için Yüksek Güçlü IGBT

Büyük resim :  N-Kanal Geliştirme Modu Frekans Değiştiricisi için Yüksek Güçlü IGBT

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Çin
Marka adı: Lingxun
Sertifika: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Belge: About Lingxun(1).pdf
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: Sipariş gereksinimlerine göre.
Fiyat: According to your order requirement
Ambalaj bilgileri: Tüp+Karton
Teslim süresi: Sipariş gereksinimlerine göre.
Ödeme koşulları: T/T
Yetenek temini: 600KK/yıl
İletişim

N-Kanal Geliştirme Modu Frekans Değiştiricisi için Yüksek Güçlü IGBT

Açıklama
Anahtarlama hızı: Daha Hızlı Anahtarlama Hızı Ürün Adı: Yüksek Güçlü IGBT
Uygulama: OBC, Şarj Yığını, Kaynak Makinesi, Anahtarlamalı Güç Kaynağı, Fotovoltaik İnvertör, Enerji Depolama Avantajlar: Dar Mesa Tasarımı, Daha Optimize Edilmiş Oluk Kombinasyonu Tasarımı, Daha Yüksek Güvenilirlik Tasarı
Cihaz tipi: IGBT Paket: TO-247
Vurgulamak:

Yüksek Güçlü IGBT

,

Yüksek Güçlü IGBT Frekans Dönüştürücü

,

Geliştirme Modu Yüksek Güçlü IGBT

Güç yönetimi için çok fonksiyonel düşük voltajlı MOSFET

 

Özellikleri
• Pozitif sıcaklık katsayısı
• Yüksek hızlı devre değiştirme
• Alçak kolektordan yayıcıya doymak voltajı
• Kolay paralel geçiş yeteneği
• Kısa devre 10 μs süre ile dayanır
• Yüksek sağlamlık performansı

 

Uygulamalar
• Taşınabilir elektrik santrali
• Motosiklet şoförü
 
Paket:
TO-247
 
 
 
N-Kanal Geliştirme Modu Frekans Değiştiricisi için Yüksek Güçlü IGBT 0
 

Etiket:

Yüksek Voltajlı IGBT,

N Kanal IGBT,

IGBT Güç Transistörü

İletişim bilgileri
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

İlgili kişi: Mrs. Qinqin

Tel: +8618988720515

Faks: 86-189-8872-0515

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Hakkında

Silikon Karbid SBD

Güçlü Silikon Karbid Elektrikli Fırın için Schottky Bariyer Diyotları

Veri Merkezi için Yüksek Bozulma Voltajlı Silikon Karbid SBD

Endüstriyel Silikon Karbid SBD Çeşitli Kullanımlı Kaynak Makinesi

İnvertör IGBT'si

15A 1200V Inverter IGBT Kısa devre Sürücü için 10μS'ye dayanabilir

Güvenilir ve sağlam Inverter IGBT Geliştirme Modu N Kanalı

Şarj Yığınları IGBT Transistor Çok Kullanımlı OBC Uygulamaları için

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite İnvertör IGBT'si Tedarikçi. © 2024 - 2025 Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd. All Rights Reserved.
vr